新聞稿
Nexperia公布2024年穩(wěn)健業(yè)績,在市場逆風下推動可持續(xù)創(chuàng)新
安世半導體今日公布了2024財年財務業(yè)績。在宏觀經(jīng)濟持續(xù)不確定和市場周期性疲軟的背景下,公司展現(xiàn)出強大的抗風險能力,通過強化執(zhí)行力和堅持創(chuàng)新投入,實現(xiàn)了營收穩(wěn)定并保持盈利。Nexperia在2 ...
閱讀更多Nexperia launches industry leading ...
AEC-Q101-qualified SMD devices combine unmatched thermal stability and easy assembly
閱讀更多哈佛中國論壇灼見丨安世半導體董事長張學政出席,以全球化視野共話AI時代新機遇
4月4日至6日,第28屆哈佛大學中國論壇成功舉辦。安世半導體董事長兼CEO張學政受邀出席,并在“智能時代的變革與未來”分論壇上發(fā)表精彩觀點,與行業(yè)領袖共同探討全球化、技術迭代與社會責任等議題, ...
閱讀更多Nexperia推出專為汽車ESD保護優(yōu)化的全新高速倒裝芯片封裝技術
全新倒裝芯片柵格陣列(FC-LGA)封裝提供出色的射頻性能,采用側邊可濕焊盤,滿足車規(guī)級質(zhì)量要求
閱讀更多安世半導體董事長張學政耶魯峰會演講:全球化是人類文明進步的驅動力
第十一屆耶魯中美峰會在耶魯大學科學大樓主會場及耶魯北京中心分會場同步舉行,本屆峰會以“匯聚岸邊:未來之橋”為主題,吸引了來自全球學術、政商、科技及文化領域的數(shù)百位領袖參會。在峰會上,安世半導體 ...
閱讀更多Nexperia推出采用行業(yè)領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
Nexperia推出采用行業(yè)領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
閱讀更多Nexperia擴展GaN FET產(chǎn)品組合,現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求
新增產(chǎn)品確保了Nexperia持續(xù)擁有業(yè)內(nèi)廣泛的GaN FET產(chǎn)品類型
閱讀更多Nexperia全新推出高精度和超低靜態(tài)電流的汽車級LDO系列
Nexperia今日新推出一系列符合AEC-Q100標準的超低靜態(tài)電流通用低壓差(LDO)穩(wěn)壓器。該新系列同時包含高精度帶輸出跟隨的LDO,集成輸出保護功能,且輸入電壓范圍較寬,因此可直接連接 ...
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